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尔必达与奇梦达开展技术合作

2019-10-16 23:53:04来源:励志吧0次阅读

DRAM行业的重组终于拉开帷幕。行业第三大厂商德国奇梦达与第四大厂商尔必达内存就合作开发DRAM交换了技术合作备忘录(MOU)。近期将正式签订协议。备忘录内容包括:合作开发40nm工艺以后的DRAM产品;包括设计和工艺技术在内的双方所持知识产权(IP)的自由交叉授权(Free Cross License)。“将来还打算成立合资工厂,共同生产产品,经营统合也在视野之内”(尔必达内存董事兼COO大塚周一)。

尔必达内存和奇梦达的首脑出席了4月24日在都内举行的记者招待会。左起依次为尔必达内存董事兼COO大塚周一、该公司董事兼CTO安达隆郎、奇梦达技术部门高级副总裁Frank Prein、奇梦达日本代表董事社长马场久雄。

备忘录规定的合作开发对象是存储单元面积为4F2(F指设计规则)的40~30nm工艺DRAM。尔必达内存将拿出其擅长的堆栈型电容器技术,而奇梦达则将贡献08年2月发布的“Buried Wordline技术”。具体来说,将采用Buried Wordline技术中的金属栅极(及金属字线)技术以及经验,同时实现单元的微细化和布线的低电阻化。在此次合作开发中,两公司将实现工艺技术和设计规则的通用化,因此40nm以后,两公司将能够制造元件构造相同的DRAM。双方均将40nm工艺以后的开发列入此次合作开发计划。

将结合两家公司的技术经验,合作开发存储单元面积为4F2的40nm工艺DRAM。

存储单元面积4F2为现有产品的1/2。可使芯片面积减小30%。

与此次合作的尔必达内存的DRAM开发路线图。

此次的合作不仅仅局限于DRAM技术的合作开发。目前双方正在协商不在此次备忘录中的两项深化合作措施。第一,合作开发PRAM(phase change RAM)及MRAM(magnetoresistive RAM)等新一代内存以及硅贯通电极技术。第二,利用合资工厂进行合作生产以及产品的相互生产。成立合资工厂之后,“还可以合作生产40nm上一代的DRAM”(尔必达内存董事兼CTO安达隆郎)。除这两点之外,作为最终形态,“还将探讨经营合并的可行性”(尔必达大塚周一)。

尔必达一直把奇梦达作为有力的合作伙伴,但是从工艺通用化角度来看,奇梦达采用的沟道技术估计是双方合作的障碍。由于2月奇梦达发布了堆栈型Buried Wordline技术,因此“障碍已经不复存在”(尔必达安达隆郎)。双方开始进行合作谈判就是奇梦达发布堆栈型Buried Wordline技术之后的“3月份开始的”(尔必达安达隆郎)。

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